Direktvergabe

Deutschland – Elektronenstrahlaufzeichnungsgeräte – Freihändige Vergabe ohne Teilnahmewettbewerb

Beschreibung

Benötigt wird ein dediziertes Hochleistungs-Elektronenstrahllithografie-System mit passender Ausstattung, um die technologischen Anforderungen, welche aus der Vielzahl an derzeit laufenden und geplanten sowie zukünftigen Projekten resultieren, erfüllen zu können. Folgende Anforderungen ergeben sich an das Gerät: 1. System zur Strukturierung von Elektronenstrahl-empfindlichen Lackschichten. 2. Erzeugung einzelner ‚Features‘ mittels Elektronenstrahllithographie, die Linienbreiten und Abmessungen im Bereich kleiner 8 nm haben (State of the Art). 3. Die Beschleunigungsspannung muss einstellbar bis zu 50 kV und muss ohne Einschränkungen unmittelbar umschaltbar sein auf einen zweiten Arbeitspunkt z.B. 10 kV, um z.B. bestimmte Profile in den belichteten Strukturen zu erzeugen, z.B. Unterschnitte für Liftoff Prozesse. 4. Der Durchsatz der Anlage muss bei einer regelmäßigen Vergleichsstruktur z.B. einem Diffraktionsgitter mit Submikrometerperiode eine Schreibgeschwindigkeit von 0,5 cm²/h besitzen, um die benötigten Probengrößen in angemessener Zeit herstellen zu können. 5. Benötigt wird eine Flexibilität in der Wahl der Belichtungsmodi für jedes einzelne Designelement z.B. grob und fein ohne aufwendige Kalibrier- oder Stabilisierungszeiten. 6. Der Belichtungsbereich der Anlage muss 150x150 mm² umfassen und die Probenpositionierung muss mit einer Auflösung von weniger als einem Nanometer erfolgen. 7. Die Anlage muss über eine Bildgebung mittels Rückstreuelektronenkontrast für Mehrfachbelichtung und der Untersuchung von Belichtungsparametern verfügen. Die Bildauswertung muss dabei automatisiert erfolgen zur Beschleunigung der Ermittlung optimaler Belichtungsparameter und Defekte in hergestellten Systemen. 8. Effizienter Mehrbenutzerbetrieb muss über herstellerseitige Softwareschnittstelle sowie Mehrfachprobenhalter für sequentielle Belichtung mehrerer Proben ermöglicht werden. Es sollen gleichzeitig bis zu vier Benutzer z.B. zwei Auftraggebende, ein/e Anlagenbedienende/r und die Laborleitung auf die Software und relevante Bereiche der Software zugreifen können, um gleichzeitig Belichtungsjobs zu erzeugen, abzuarbeiten, zu kontrollieren und den Zustand der Maschine überwachen zu können. Ein automatisierter Workflow soll es Nutzern ohne tiefgreifende Kenntnisse ermöglichen, Belichtungsjobs selbständig in Auftrag geben. Dieses ist von großer Wichtigkeit bei dem geplanten großen Nutzungskreis. 9. Es müssen verschiedene Probengeometrien aufgenommen werden: a. Chips im Millimeterbereich b. Rundproben von 1-8 Zoll c. Spezialproben z.B. Wendeschneidplatten 10. Das Gerät muss kompatibel für den Betrieb im Reinraum sein. 11. Das Aufstellmaß darf 4 x 1,5 m nicht überschreiten. 12. Eine Beladung der Anlage hat durch eine automatische Probenschleuse ohne Vakuumbruch der Hauptkammer zu erfolgen. 13. Die Anlagensteuerung und die Anlagenbedienung müssen auf Windows-PCs mit aktualisierbarem Betriebssystem betrieben werden können, damit eine sichere Einbindung der Maschine auch zukünftig in das Universitäts-Netzwerk erfolgen kann. 14. Die Anlage muss eine eigene Notstromversorgung (USV) zur Überbrückung von kurzzeitigen Schwankungen (<30 min) in der elektrischen Energieversorgung besitzen, damit die Anlage nicht gefährdet und der aktuelle Belichtungsjob nicht erfolglos abgebrochen wird. 15. Ermöglicht werden muss das Schreiben von kontinuierlichen und unterbrechungsfreien Linien, Kurven, Wellenleiterstrukturen oder beliebigen periodischen Strukturen über den gesamten Belichtungsbereich. 16. Erzeugung von Strukturen (Gittern, Metalinsen, photonische Kristalle, photonisch integrierte Schaltkreise) über große Flächen und zwar ohne Abstriche bei der geforderten minimalen Linienbreite und Abmessung. Bereits geringste Versatzfehler im sub Nanometerbereich (< 1 nm) z.B. der periodischen Gitter führen zu einer negativen Veränderung der Eigenschaften der erzeugten Strukturen und müssen unbedingt verhindert werden. Gleiches gilt für die Form- und Konturgenauigkeit insbesondere zur Reduzierung der Kantenrauheit bei z.B. Wellenleitern oder Resonatoren. Dafür ist eine entsprechend hohe Auflösung des ADC Wandlers für den Pattern Generator erforderlich. 17. Benötigt wird eine automatische Korrektur des Arbeitsabstandes bzw. eine Fokusvariation. Diese gewährleistet z.B. an dünnen spannungsbehafteten Membranen oder gebogenen Wafern eine Belichtung von gleichbleibender hoher Qualität. 18. Belichtung von 2,5 und 3 D Strukturen in Elektronenstrahlresisten auf Basis von kontrastbasierten Bilddateien z.B. BMP. 19. Zur Vorverarbeitung von insbesondere komplexen Layouts wird eine Hochleistungssoftware mit entsprechender Anlagenschnittstelle benötigt, die neben Proximity Effekt Korrekturen auch eine Simulation der Schreibprozesse durchführt. Dadurch soll der experimentelle Aufwand zur Ermittlung geeigneter Belichtungsparameter für ultrahochauflösende oder 2,5 und 3D Belichtungen reduziert werden. 20. Perspektivisch soll das System um ein kompatibles Laserstrahllithografiesystem erweitert werden. Hier wird ein softwarebasierter Workflow benötigt, der die komplementären Technologien der Elektronen- und Laserstrahllithografie synergetisch vereint. Erleichtert werden soll sowohl die Navigation und Probenausrichtung, als auch die Aufteilung des Schreibfeldes für zeitsparende Schreibstrategien. Dadurch ist ein Wechsel zwischen den einzelnen Belichtungsverfahren in kurzer Zeit mit besonders wenig Aufwand zu realisieren.

Angaben aus der Bekanntmachung

Auftraggeber

Raith GmbH

Ort

Dortmund

Bundesland

Niedersachsen

CPV

38341100 — Elektronenstrahlaufzeichnungsgeräte

Verfahrensart

Verhandlungsverfahren ohne Aufruf zum Wettbewerb

Veröffentlicht

22.05.2024

Kennung

9fb14467-8134-40d6-8ee2-d324112fd25b

Quelle

TED (EU-Amtsblatt)

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• Original-Bekanntmachung

Verbindlich sind allein die Angaben auf dem Vergabeportal. Stand dieser Seite: 22.05.2024, 02:00.